《电子应用技术项目教程（第4版）》课件汇总 项目1--6 节能灯电路的制作--- 家用调光灯电路的制作.ppt

4.BTL功率放大器(1)电路。BTL功率放大器是桥接式推挽电路的简称,也叫作双端推挽电路。它是在OCL、OTL功率放大器的基础上发展起来的一种功率放大器。图3.34BTL功率放大器的原理图图3.35BTL功率放大器的结构图(2)工作原理。从电路结构上来看,两个OCL功率放大器的输出端分别接在负载的两端。电路在静态时,两个输出端保持等电位,这时负载两端电位相等,无直流电流流过负载。在有信号输入时,两输入端分别加上幅度相等、相位相反的信号。输入信号为正半周时,VT1、VT4导通,VT2、VT3截止。导通电流流向为正电源→VT1→负载RL→VT4→负电源,如图3.35实线所示,负载得到了正半周波形。场效应三极管(简称场效应管)是利用电场效应来控制半导体多数载流子导电的单极型半导体器件。它不仅具有一般三极管体积小、质量小、耗电省、寿命长的特点,还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗干扰能力强和制造工艺简单的优点,因此在大规模集成电路中得到了广泛应用。3.5场效应三极管知识链接1.结构MOSFET分为增强型(N沟道、P沟道)、耗尽型(N沟道、P沟道)两种。N沟道增强型MOSFET的结构和符号如图3.36所示。电极D称为漏极,相当于双极型三极管的集电极;G称为栅极,相当于基极;S称为源极,相当于发射极。3.5.1MOSFET的结构及工作原理图3.36,N沟道增强型MOSFET的结构和符号2.工作原理(1)栅源电压UGS的控制作用。当UGS=0V时,漏源之间相当于两个背靠背的二极管,在漏源间加上电压不会形成电流。(2)漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用。当UGSUGS(th),且固定为某一值时,分析漏源电压UDS对漏极电流ID的影响。图3.37转移特性曲线图3.38UDS的不同变化对沟道的影响图3.39漏极输出特性曲线图3.40N沟道耗尽型MOSFET1.场效应管的参数(1)开启电压UGS(th)(或UT)。开启电压是增强型MOSFET的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。(2)夹断电压UGS(off)(或UP)。夹断电压是耗尽型MOSFET的参数,当UGS=UGS(off)时,漏极电流为零。(3)饱和漏极电流IDSS。当UGS=0时,耗尽型MOSFET所对应的漏极电流为饱和漏极电流。(4)输入电阻RGS。场效应管的栅源输入电阻的典型值,对于结型场效应管,反偏时,RGS约大于107Ω;对于MOSFET,RGS为109~1015Ω。(5)低频跨导gm。低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求取,单位是mS(毫西门子)。(6)最大漏极功耗PDM。最大漏极功耗可由PDM=UDSID决定,与双极型三极管的PCM相当。3.5.2场效应管的参数和型号2.场效应管的型号现行场效应管的型号有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表MOSFET,第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道,C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是N沟道结型场效应管,3DO6C是N沟道MOSFET。第二种命名方法是CS××:CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,用字母代表同一型号中的不同规格,如CS14A、CS45G等。(1)根据电路的要求,选择合适的管型和性能参数。(2)对于低压小信号放大器,应主要考虑小功率场效应管的跨导、输入阻抗、夹断电压及输出阻抗等;对于大功率电路,主要考虑场效应管的极限参数,使用时严禁超过其极限参数。(3)使用场效应管时,各极必须加正确的工作电压。(4)MOSFET在保管或运输过程中,应将3个电极短接并用金属包装屏蔽,以防栅极被感应电动势击穿。(5)焊接MOSFET时,应断电焊接,且先焊源极,再焊栅极,最后焊漏极。(6)有些场效应管将衬底引出,故有4个引脚,这种场效应管的漏极与源极可互换使用。(7)场效应管的代换应遵循如下原则:管型相同、参数特性相近、形体相似。这样才能保证原电路的性能不变,且易安装。3.5.3场效应管的正确使用知识小结1.三极管是由两个PN结构成的半导体器件,分为NPN型和PNP型两大类。三极管具有电流放大作用,其实质是电流控制作用。2.通常使用输入、输出特性来描述三极管的性能。特性曲线可以划分成饱和区、放大区和截止区。当发射结加正向电压、集电结加反向电压时,三极管处于放大状态。3.对放大器的基本要求是能实现对信号的不失真放大。只有建立合适的静态工作点,使三极管处于放大状态,电路才能实现对信号的不失真放大。4.共集电极放大器虽然没有电压放大能力,但具有输入电阻大、输出电阻小的优点,常用作多级放大器的输入级、中间级和输