2020年高功率半导体技术研发中心建设项目可行性研究报告.pdfVIP

2020年高功率半导体技术研发中

心建设项目可行性研究报告

2020年7月

目录

一、项目概况.

二、项目经营前景

三、项目建设的背景及与现有业务的关系.

1、坚持自主科技研发，落实公司发展战略3

2、固态脉冲开关在多领域发挥重要作用，应用场景广泛4

3、IGBT行业前景广阔，迎来市场发展机遇.5

四、项目实施进度安排.

五、项目建设的可行性.

1、公司拥有优质的研发团队与人才储备7

2、公司在功率半导体领域保持技术优势7

3、公司在IGBT和固态脉冲开关等领域具有技术积累.8

4、公司坚持技术研发，具备较强的研发成果转化能力9

9

一、项目概况

公司拟使用资金15,000万元，进行高功率半导体技术研发中心建

设。高功率半导体技术研发中心将坚持自主研发和产学研结合，持续

开展功率半导体新材料、新技术、新应用的标准化技术研究及先导技

术研究。研发中心研究内容具体包括：

①建设高功率脉冲半导体开关试验平台；

②升级高性能IGBT模块（兼容SiC器件）试验和应用平台；

③建设EDA仿真中心；

④构建在线客户支持系统，向客户提供协同研发和在线技术支持。

二、项目经营前景

本项目为高功率半导体技术研发中心，不产生直接的经济效益，

但是为公司发展新型高功率半导体产品及扩大市场影响力奠定基础。

本项目建成后，将进一步提升公司的研发实力，符合公司发展战略需

要。

三、项目建设的背景及与现有业务的关系

1、坚持自主科技研发，落实公司发展战略

高功率半导体属新型电子信息产品，广泛应用于节能环保、新能

源汽车、高端装备制造及前沿科技等领域，是支撑国家战略新兴产业

发展的重要基础元器件。公司长期致力于促进电力电子技术应用程度

9