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ICLAB
实验室
在防护器件
SentaurusESD
设计中的应用
浙江大学ICLAB实验室
韩雁教授
hany@zju.edu.cn
2017年9月
1/103浙大微电子
ICLAB课程内容
实验室
一、ESD简介
二、ESD器件仿真方法
三、ESD器件仿真收敛性问题
四、ESD性能关键参数
五、二次击穿电流仿真
六、特殊ESD器件仿真
2021-12-132/90浙大微电子
ICL
AB
实验室集成电路中ESD(静电放电)现象
·在集成电路芯片的制造、运输、使用过程中，芯片的外部
环境或者内部结构会积累一定量的电荷，这些积累的电荷
会瞬间通过芯片的管脚进入集成电路内部。瞬态大电流值
足以将芯片烧毁。
电极
椰氧层
注入
ESD简介ESD器件仿真方法仿真收敛性问题关键参数二次击穿电流仿真特殊ESD器件
2021-12-133/90浙大微电子
ICLAB集成电路中现象(续)
实验室ESD
·在集成电路工艺进入亚微米时代之前，静电放电就已经是
影响集成电路可靠性中一个重要因素
·统计表明，现今集成电路失效产品中的38%是由ESD/EOS
(Electrostatic-Discharge/Electrical-Over-Stress)所引起的
ASSEMBLY
OTHER14%
18%
TESTS
-GOOD
4%
FAB
ESD/EOS26%
38%
ESD简介ESD器件仿真方法仿真收敛性问题关键参数二次击穿电流仿真
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