Danfoss丹佛斯Semikron Danfoss Application Note 07-006 Rev-01 IGBT Peak Voltage Measurement and Snubber Capacitor Specification EN 应用指南.pdf

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2024-12-16 发布于广东
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ApplicationNote

AN07-006

Revision:01

Issuedate:2024-11-06

Preparedby:JoachimLamp

Approvedby:IngoRabl

Keyword:IGBTmodule,snubbercapacitor,peakvoltage

IGBTPeakVoltageMeasurementand

SnubberCapacitorSpecification

1.General1

2.CapacitorParameter3

2.1DCvoltageclass3

2.2Capacitanceandseriesinductance3

2.3Pulsehandling3

2.4RMSvoltageandRMScurrent4

2.5Lifetime4

2.6Self-healing4

3.MeasurementsandVerification4

3.1VoltagestressofIGBTs(VCEpeak)4

3.1.1Measurementprocedure5

3.1.2Groundingandvoltageprobeconnections:5

3.2MeasuringcapacitorRMScurrent7

3.2.1Measurementprocedure7

3.3Temperatureandself-heatingduringoperation9

ThisapplicationnoteprovidesinformationonhowtoselectandtestsnubbercapacitorsforIGBTmodulesin

highpowerapplicationsandhowtotesttheeffectiveness.Thisinformationshouldhelptopreventfailureof

theIGBTmoduleandsnubbercapacitorcausedbyelectricalorthermaloverstress.Theinformationgivenin

thisapplicationnotecontainstipsonwhichparameterofthecapacitorshouldbeconsideredandhowtocarry

outthenecessarymeasurements.

1.General

Ifhighcurrentsareswitchedfast,thenvoltageovershootsoccur,whichcandestroytheswitchingpower

semiconductor.Thevoltageovershootiscausedbytheenergystoredinthemagneticfieldofthecurrentpath

(e.g.DC-linkconnections).ItislinkedbythevalueoftheparasiticinductanceorstrayinductanceLS

(E=0,5*L*i).Thevoltage(V=L*di/dt)mayexceedthemaximumblockingvoltageofthepower

semiconductor(VCES,VRRM…)becauseitisadd

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