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AP8N65FIPIT
650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP8N65F/P/TissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=650VI8A
DSD
RDS(ON)1.2Ω@VGS=10V（Type：0.98Ω）
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP8N65FTO-220F-3LAP8N65FXXXYYYY1000
AP8N65PTO-220-3LAP8N65PXXXYYYY1000
AP8N65TTO-263-3LAP8N65TXXXYYYY800
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterValueUnit
VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)650V
IDContinuousDrainCurrent8A
IDMPulsedDrainCurrent(note1)28A
VGSGate-SourceVoltage±30
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