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AP12N65FIP
650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP12N65F/PissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=650VI12A
DSD
RDS(ON)0.72Ω@VGS=10V（Type：0.6Ω）
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP12N65FTO-220F-3LAP12N65FXXXYYYY1000
AP12N65PTO-220-3LAP12N65PXXXYYY1000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
Value
SymbolParameterUnit
TO-220FTO-220
VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)650V
IDContinuousDrainCurrent12A
IDMPulsedDrainCurrent(note1)44A
VGSGate
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