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AP30N20NF
200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP30N20NFissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=200VI30A
DSD
RDS(ON)150mΩ@VGS=10V（Type：120mΩ）
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP30N20NFPDFN5X6-8LAP30N20NFXXXYYYY1000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterValueUnit
VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)200V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V30A
DC
1
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V12A
DC
IDMPulsedDrainCurrent(note1)72A
VGSGate-S
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