深圳市羽楷科技AP90N06PT 90A 60V TO-220 TO-263.pdf

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AP90N06PIT

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP90N06P/Tusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI90A

DSD

RDS(ON)7.0mΩ@VGS=10V(Type:5.8mΩ)

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP90N06PTO-220-3LAP90N06PXXXYYYY1000

AP90N06TTO-263-3LAP90N06TXXXYYYY800

o

AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)

j

SymbolParameterValueUnit

VDSDrainsourcevoltage60V

VGSGatesourcevoltage±20V

IDContinuousdraincurrent1)90A

IDMPulseddraincurrent2)320A

ISDiodeforwardcurrent37A

ISPPulseds

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