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AP220P03PIT
-30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP220P03P/Tusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-30VI-220A
DSD
RDS(ON)2.5mΩ@VGS-10V（Type：2.0mΩ）
Application
Lithiumbatteryprotection
Wirelessimpact
Mobilephonefastcharging
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP220P03PTO-220-3LAP220P03PXXXYYYY1000
AP220P03TTO-263-3LAP220P03TXXXYYYY800
AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage-30V
VGSGate-SourceVoltage±20V
ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V1-220A
ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V1-165A
IDMPulsedDrainCurrent2-700A
EASSinglePulseAvalancheEnergy3750mJ
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