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AP5N50D-L
500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP5N50D-LissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=500VI5.0A
DSD
RDS(ON)1.85Ω@VGS=10V（Type：1.55Ω）
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP5N50D-LTO-252-3LAP5N50D-LXXXYYYY2500
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterValueUnit
VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)500V
1
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,V@10V5A
DCGS
1
I@T=75℃ContinuousDrainCurrent,V@10V3A
DCGS
IDMPulsedDr
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