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AP65N06CP
60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP65N06CPissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=60VI=65A
DSD
RDS(ON)22mΩ@VGS=10V（Type：14mΩ）
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP65N06CPTO-220-3LAP65N06CPXXXYYYY100
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterValueUnit
VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)60V
IDContinuousDrainCurrent50A
IDMPulsedDrainCurrent(note1)200A
VGSGate-SourceVoltage±20V
EASSinglePulseAvalancheEnergy(note2)288mJ
IARAvalancheCurrent(note1)24A
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