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APG80N10NF
100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAPG80N10NFusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas10V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=100VI80A
DSD
RDS(ON)8mΩ@VGS=10V(Type：6.5mΩ)
Application
DC/DCConverter
LEDBacklighting
PowerManagementSwitches
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
APG80N10NFPDFN5*6-8LAPG80N10NFXXXYYYY5000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage100V
VGSGate-SourceVoltage±20V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent180A
DA
I@T=70℃ContinuousDrainCurrent162A
DA
IDMPulsedDrainCurrent2240A
EASSinglePulseAvalancheEnergy3120mJ
IASAvalancheCurrent
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