深圳市羽楷科技APJ8N65D 8A 650V TO-252-3L.pdf

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APJ8N65D

650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAPJ8N65DisCoolFETIIIMOSFETfamily

thatisutilizingchargebalancetechnologyforextremely

lowon-resistanceandlowgatechargeperformance.

APJ7N60Dissuitableforapplicationswhichrequire

superiorpowerdensityandoutstandingefficiency

GeneralFeatures

VDS=650V（Type：700V）IDM8A

RDS(ON)980mΩ@VGS=10V（Type：880mΩ）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

APJ8N65DTO-252-3LAPJ8N65DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnit

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)650V

IDContinuousDrainCurrent4.5A

IDMPulsedDrainCurrent(note1)8A

VGSGate-SourceVoltage±30V

EASSinglePulseAvalancheEnergy(note2)30mJ

PPowerDissipation(T=25ºC)28.5W

该用户很懒，什么也没介绍

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