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题目：基于OOMMF的SOT器件的性能模拟
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摘要
这是一个信息飞速发展的时代，信息存储在人们的日常生活中的地位越来越重要，相应的，信息存储技术发挥的作用也越来越大。其中，磁记录技术作为信息存储的重要手段拥有着巨大并且广泛的应用前景。特别是磁性随机存储器，即MRAM，以其重复无限次地写入、非易失性、高速读写、高集成度以及抗辐射能力强的优点成为了存储器市场的重要发展方向。其中SOT-MRAM作为第三代MRAM，克服了
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