YST-半绝缘砷化镓单晶衬底片及编制说明.pdf

ICS29.045

CCSH83

YS

中华人民共和国半导体行业标准

YS/TXXXX—XXXX

半绝缘砷化镓单晶衬底片

Semi-insulatedgalliumarsenidesinglecrystalsubstrate

（送审稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中华人欑共和国工业和信息化部发布

YS/TXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）、全国半导体设备和材料标准化技术委员

会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）提出并归口。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件起草单位：广东先导微电子科技有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、中国电子科技集

团第十三研究所、有研国晶辉新材料有限公司。

本文件主要起草人：。

I

YS/TXXXX—XXXX

半绝缘砷化镓单晶衬底片

1范围

本文件规定了半绝缘砷化镓单晶衬底片（以下简称“衬底片”）的分类、技术要歂、试验方

法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。

本文件为液封直拉法、