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AP10N65FIP
650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP10N65F/PissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=650VI10A
DSD
RDS(ON)0.9Ω@VGS=10V（Type：0.75Ω）
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP10N65FTO-220F-3LAP10N65FXXXYYYY1000
AP10N65PTO-220-3LAP10N65PXXXYYY1000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
Value
SymbolParameterUnit
TO-220FTO-220
VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)650V
IDContinuousDrainCurrent10A
IDMPulsedDrainCurrent(note1)58A
VGSGate
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