深圳市羽楷科技AP13N50FPT 13A 500V TO220F-3L TO220-3L TO263-3L.pdf

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AP13N50FIPIT

500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP13N50F/P/TissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=500VI13A

DSD

RDS(ON)500mΩ@VGS=10V（Type：420mΩ）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP13N50FTO-220F-3LAP13N50FXXXYYYY1000

AP13N50PTO-220-3LAP13N50PXXXYYYY1000

AP13N50TTO-263-3LAP13N50TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnit

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)500V

IDContinuousDrainCurrent13A

IDMPulsedDrainCurrent(note1)52A

VGSGate-SourceVoltage±30V

该用户很懒，什么也没介绍

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