深圳市羽楷科技AP120N10D 120A 100V TO-252-3L.pdf

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AP120N10D

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP120N10DusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=100VI120A

DSD

RDS(ON)7.5mΩ@VGS=10V(Type：6.2mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP120N10DTO-252-3LAP120N10DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V120A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V63.5A

IDMPulsedDrainCurrent340A

EASSinglePulseAvalancheEnergy135.2mJ

IASAvalancheCurrent

该用户很懒，什么也没介绍

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