深圳市羽楷科技APJ12N65FPT 12A 650V TO-220F-3L TO-220-3L TO-263-3L.pdf

深圳市羽楷科技APJ12N65FPT 12A 650V TO-220F-3L TO-220-3L TO-263-3L.pdf

  1. 1、本文档共8页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

APJ12N65FIPIT(AP65R850)

650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAPJ12N65F/P/TisCoolFETIIMOSFETfamily

thatisutilizingchargebalancetechnologyforextremely

lowon-resistanceandlowgatechargeperformance.

APJ12N65F/P/Tissuitableforapplicationswhichrequire

superiorpowerdensityandoutstandingefficiency

GeneralFeatures

VDS=650V(Type:730V)IDM=12A

RDS(ON)850mΩ@VGS=10V(Type:750mΩ)

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

APJ12N65FTO-220F-3LAPJ12N65DXXXYYYY2500

APJ12N65PTO-220-3LAPJ12N65DXXXYYYY2500

APJ12N65TTO-263-3LAPJ12N65DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

C

SymbolParameterValueUnit

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)650V

IDContinuousDrainCurrent6.5A

IDMPulsedDrainCurrent(note1)12A

VGSGate-SourceVoltage±30V

EASSinglePulseAvalancheEnergy(note2)125mJ

P

文档评论(0)

***** + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档