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多量子阱钙钛矿半导体合成及光伏性能表征的综合实验设计
目录
内容概括．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4
1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4
1.1.1钙钛矿半导体材料的研究进展．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5
1.1.2多量子阱在钙钛矿中的应用前景．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6
1.1.3综合实验设计的目的与重要性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．7
1.2研究目标与内容概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．8
1.2.1实验设计的主要目标．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．9
1.2.2实验内容的详细规划．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10
文献综述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12
2.1钙钛矿半导体的理论基础．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12
2.1.1钙钛矿的结构与组成．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14
2.1.2钙钛矿的光电特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14
2.1.3多量子阱技术在钙钛矿中的应用．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15
2.2国内外研究现状分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．17
2.2.1主要研究机构与成果．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．18
2.2.2存在的问题与挑战．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．19
实验材料与设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．19
3.1实验材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20
3.1.1主要原料与试剂．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22
3.1.2辅助材料与耗材．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22
3.2实验设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．23
3.2.1合成设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．25
3.2.2表征设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．26
3.2.3测试设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．27
实验方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．29
4.1多量子阱钙钛矿半导体的合成方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．30
4.1.1前驱体溶液的配制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．31
4.1.2生长过程的控制策略．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．32
4.1.3后处理与清洗．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．34
4.2光伏性能表征方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．35
4.2.1光谱测量方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．36
4.2.2电学性能测试．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．38
4.2.3稳定性与可靠性评估．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．39
实验步骤．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．40
5.1合成过程的具体操作步骤．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．40
5.1.1合成前的准备工作．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．42
5.1.2生长过程中的操作流程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．43
5.1.3后处理与质量控制．．．．．．．．．
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