- 1、本文档共25页,其中可免费阅读8页,需付费200金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
PAGE11
双掺KTP型晶体生长工艺及光学性质研究
摘要:本文选用四种不同系列的双掺KTP型晶体,通过对比这四种系列的双掺KTP晶体的形态表征和光学性质。得出Nb5+进入晶格的能力远大于Yb3+进入晶格的能力,Nb5+进入晶格的能力远大于Tm3+进入晶格的能力,
Ge4+进入晶格的能力大于Yb3+、Tm3+进入晶格的能力,Nb5+可以提高Yb3+进入晶格的能力,Nb5+可以提高Tm3+进入晶格的能力,Ge4+并不能明显的提高Tm3+进入晶格的能力。我们所制得的晶体中所有的掺质离子都进入了晶体之中,并且它们的含量很少,所以没有引起双掺KTP型晶体的晶胞参数出现较为明
文档评论(0)