双掺ktp型晶体生长工艺与光学特性研究.docx

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双掺KTP型晶体生长工艺及光学性质研究

摘要:本文选用四种不同系列的双掺KTP型晶体,通过对比这四种系列的双掺KTP晶体的形态表征和光学性质。得出Nb5+进入晶格的能力远大于Yb3+进入晶格的能力,Nb5+进入晶格的能力远大于Tm3+进入晶格的能力,

Ge4+进入晶格的能力大于Yb3+、Tm3+进入晶格的能力,Nb5+可以提高Yb3+进入晶格的能力,Nb5+可以提高Tm3+进入晶格的能力,Ge4+并不能明显的提高Tm3+进入晶格的能力。我们所制得的晶体中所有的掺质离子都进入了晶体之中,并且它们的含量很少,所以没有引起双掺KTP型晶体的晶胞参数出现较为明

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