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02面内模式

(1)外延衬底上生长的晶格常数控制失配已被广泛应用于面内应变的建立,

该方法可延伸到原子薄二维材料的应变工程生长。

(2)热应变表示CVD生长的二维材料中的另一种残余应变,这是由二维材

料与其基底之间的热膨胀失配引起的。通过选择具有不同热性能的基底,可

以在二维材料中实现压缩应变和拉伸应变。

(3)在二维材料中实现平面应变的最直接的方法可能来自于将它们转移到柔

性衬底上并直接拉伸

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