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题目：传感器阵列的旁瓣控制高增益波束设计
Title:SidelobeControlHighGainBeamDesignforSensorArray
摘要
针对干扰信号引起的问题，本文提出一种运用二阶锥规划方法的强大功能从而实现的MVDR波束形成器设计优化算法。算法通过在旁瓣区域附加多个二次不等式约束，从而有效降低旁瓣区域的干扰信号强度、维持期望方向的主瓣增益，同时获得最高阵增益的旁瓣波束输出。通过将波束优化问题构造成凸二阶锥规划问题，使用内点算法并设定惩罚函数作为制约条件，可以得到有效求解。仿真结果表明：算法在实现任意形状期望旁瓣波束设计的同时，大幅度提高波束形成器的输
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