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判断题
模拟电子技术版）期末练习判断题
一、判断题(每题1分)
1.在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为20V，则在纯电阻负载两端用直流
电压表测出的电压值约为18V。（）
2.
P型半导体带正电，N型半导体带负电。
3.在P型半导体中掺入高浓度的五价元素，可以改型为N型半导体。
4.硅二极管正向导通时，其两端的电压很小的变化，会引起电流较大的变化。
5.
PN结正偏时，势垒电容效应明显；PN结反偏时，扩散电容效应明显。
6.
PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
7.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U时会损坏。
RM
8.半导体中空穴带正电，电子带负电。
9.二极管在工作电流大于最大整流电流I时会损坏。（）
F
10.在变压器二次侧电压和负载电阻相同的情况下，因为桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出
电流的2倍，因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。（）
11.在变压器二次侧电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流
的2倍。（）因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。（）
12.若电源变压器二次侧电压的有效值为U，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时
2
的输出电压均为2U。（）
2
13.光电二极管是受光器件，能将光信号转换电信号。（）
14.发光二极管使用时必须反向偏置，光电二极管则应该正向偏置。（）
15.变容二极管的特点是结电容随反偏电压的大小变化。（）
16.在变压器二次侧电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流
的2倍。（）
17.二极管在工作频率大于最高工作频率f时会损坏。
M
18.当输入电压为正弦波时，若PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则基极电流的波形将正半波削波，
（）。输出电压u的波形将负半波削波（）
o
19.由于发射区和集电区的杂质浓度以及面积不同，因此BJT的集电极和发射极不能互换使用。
20.阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点Q相互独立，（）它只能放大交流信号。（）
21.测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为20，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应
为400。
22.由于FET的输入回路可视为开路，因此FET放大电路输入端的耦合电容C，一般可以比BJT放大电
g
路中相应的电容C小得多。
b
23.由于JFET与耗尽型MOSFET同属耗尽型，因此在正常放大时，加于它们栅、源极间的电压u只允
GS
许一种极性。
24.在FET中，参与导电的只是多子，栅极基本不取电流，输入电阻很高，因此常用作高输入阻抗的输入
级。
25.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
26.
I表示工作于饱和区的增强型场效应管在u=0时的漏极电流。（）
D
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