安世PSMN1R7-25YLD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMN1R7-25YLD

N-channel25V,1.75Oh,200AlogiclevelMOSFETin

LFPAK56usingNextPowerS3Technology

23April2021Productdatasheet

1.Generaldescription

LogiclevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETinLFPAK56package

NextPowerS3portfolioutilisingNexperia’sunique“SchottkyPlus”technologydelivershigh

efficiency,lowspikingperformanceusuallyassociatedwithMOSFETSwithanintegratedSchottky

orSchottky-likediodebutwithoutproblematichighleakagecurrent.NextPowerS3isparticularly

suitedtohighefficiencyapplicationsathighswitchingfrequencies

2.Featuresandbenefits

•100%AvalanchetestedatI(AS)=142A

•UltralowQG,QGDandQOSSforhighsystemefficiency,especiallyathigherswitching

frequencies

•Superfastswitchingwithsoft-recovery

•LowspikingandringingforlowEMIdesigns

•Unique“SchottkyPlus”technology;Schottky-likeperformancewith1µAleakageat25°C

•Optimisedfor4.5Vgatedrive

•Lowparasiticinductanceandresistance

•HighreliabilityclipbondedandsolderdieattachPowerSO8package;noglue,nowirebonds,

qualifiedto175°C

•Wavesolderable;exposedleadsforoptimalvisualsolderinspection

3.Applications

•On-boardDC:DCsolutionsforserverandtelecommunications

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