安世PSMN1R8-30MLH深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMN1R8-30MLH

N-channel30V,2.1Ω,150AlogiclevelMOSFETin

LFPAK33usingNextPowerS3technology

30September2019Productdatasheet

1.Generaldescription

LogiclevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETinLFPAK33package.

NextPowerS3technologydeliverslowRDSon,lowIDSSleakageandhighefficiency.Ratedto150A

andoptimizedwithlowgateresistance(RG)forfast-switchingapplications.

2.Featuresandbenefits

•OptimizedforlowRDSonandlowgateresistance(RG)

•Fastswitching–reducedswitchinglosses

•Stronglinear-mode(SOA)rating

•Lowleakage1μAat25°C

•LowspikingandringingforlowEMIdesigns

•Optimizedfor4.5Vgatedrive

•150AcontinuousID(max)rating

•Highreliabilitycopper-clipbondedandsolderdieattachLFPAK33package

•Qualifiedto175°C

•Exposedleadsforoptimalvisualsolderinspection

3.Applications

•Synchronousbuckregulator

•SynchronousrectifierinAC-DCandDC-DCapplications

•BLDC(brushless)motorcontrol

•eFuseandbatteryprotection

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltage25°C≤T≤175°C

该用户很懒，什么也没介绍

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