安世PSMP033-60YE深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMP033-60YE

60V,P-channelTrenchMOSFET

13January2021Productdatasheet

1.Generaldescription

P-channelenhancementmodeMOSFETinanLFPAK56(PowerSO8)Surace-MountedDevice

(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology.

2.Featuresandbenefits

•Highthermalpowerdissipationcapability

•Suitableforthermallydemandingenvironmentsdueto175°Crating

•TrenchMOSFETtechnology

3.Applications

•Reversebatteryprotection

•Powermanagement

•High-sideloadswitch

•Motordrive

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltageT=25°C---60V

DSj

VGSgate-sourcevoltage-20-20V

IDdraincurrentVGS=-10V;Tmb=25°C---30A

PtottotalpowerdissipationTmb=25°C--110W

Staticcharacteristics

Rdrain-sourceon-stateV=-10V;I=-7A;T=25°C-2633mΩ

DSonGSDj

resistance

NexperiaPSMP033-60YE

该用户很懒，什么也没介绍

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