安世PSMN1R0-40YSH深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMN1R0-40YSH

N-channel40V,1Ω,290AstandardlevelMOSFETin

LFPAK56EusingNextPower-S3Schottky-Plustechnology

25April2019Productdatasheet

1.Generaldescription

290Amp,standardlevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETin15°CLFPAK56E

packageusingadvancedTrenchMOSSuperjunctiontechnology.Thisproducthasbeendesigned

andqualifiedforhighperformancepowerswitchingapplications.

2.Featuresandbenefits

•290AcontinuousID(max)

•Avalancherated,100%tested

•NextPower-S3technologydeliverssuperfastswitchingwithsoftbody-dioderecovery

•LowQ,QandQforhighsystemefficiencyandlowEMIdesigns

RRGGD

•Schottky-Plusbody-diode,givessoftswitchingwithouttheassociatedhighIDSSleakage

•Stronglinear-mode/SOArating

•HighreliabilityLFPAK(PowerSO8)package,withcopper-clipandsolderdieattach,qualifiedto

175°C

•Exposedleadscanbewavesoldered,visualsolderjointinspectionandhighqualitysolder

jointsforultimatereliability

•Lowparasiticinductanceandresistance

3.Applications

•High-performancesynchronousrectification

•DC-to-DCconverters

•Highperformanceandhighefficiencyserverpowersupply

•

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