安世PSMN1R2-30YLD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMN1R2-30YLD

N-channel30V,1.2Ω,250AlogiclevelMOSFETin

LFPAK56usingNextPowerS3Technology

21December2018Productdatasheet

1.Generaldescription

250AlogiclevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETinLFPAK56ackage.

NextPowerS3ortfolioutilisingNexeria’sunique“SchottkyPlus”technologydelivershigh

efficiency,lowsikingerformanceusuallyassociatedwithMOSFETswithanintegratedSchottky

orSchottky-likediodebutwithoutproblematichighleakagecurrent.NextPowerS3isparticularly

suitedtohighefficiencyalicationsathighswitchingfrequencies.

2.Featuresandbenefits

•250Acapability

•UltralowQG,QGDandQOSSforhighsystemefficiency,eseciallyathigherswitching

frequencies

•Superfastswitchingwithsoft-recovery;s-factor1

•LowspikingandringingforlowEMIdesigns

•Unique“SchottkyPlus”technology;Schottky-likeperformancewith1µAleakageat25°C

•Optimisedfor4.5Vgatedrive

•Lowparasiticinductanceandresistance

•HighreliabilityclipbondedandsolderdieattachPowerSO8package;noglue,nowirebonds,

qualifiedto175°C

•Wavesolderable;exosedleadsforotimalvisualsolderinsection

3.Applications

•On-boardDC-to-DCsolutionsforserverandtelecomm

该用户很懒，什么也没介绍

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