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浙江师范大学数理与信息工程学院《光电子学》期末试题

（2011—2012学年第1学期）

使用学生光学11(研)考试时间150分钟

出卷时间2011年12月30日

说明：考生应将全部答案都写在答题纸上，否则作无效处理。

一、选择题（22分，2分/题）

1．电磁波具有的性质有（）

A.电场、磁场和波的传播方向满足右手定则B.具有偏振

C.电场和磁场相位同步D.电场与磁场存在相互依存关系

2．在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于()

A.外光电效应B.内光电效应C.光电发射D.光电导效应

3．厨房宜采用哪种形式的火灾报警探测器()

A.感温探测器B.火焰探测器C.感烟探测器D.离子感烟探测器

4．按照调制方式分类，光调制可以分为（）等，所有这些调制过程都可以归结为将一

个携带信息的信号叠加到载波光波上。

A.偏振调制B.强度调制C.相位调制D.频率调制

5．半导体激光发光是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的

载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。

A.原子B.分子C.离子D.能带

6．红外探测器的性能参数是衡量其性能好坏的依据。其中响应波长范围（或称光谱响应），

是表示探测器的（）相应率与入射的红外辐射波长之间的关系。

A.电流B.电压C.功率D.电阻

7．光子探测是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）。使材料的电学性质发

生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道光辐射的强弱。

A.光子效应B.霍尔效应C.热电效应D.压电效应

8．用光电法测量某高速转轴（15,000转/分）的转速时，最好选用（）为光电接收器件。

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A．PMTB．CdS光敏电阻C．2CR42硅光电池D．3DU型光电三极管

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9．若要检测脉宽为10S的光脉冲，应选用（）为光电变换器件。

A．PIN型光电二极管B．3DU型光电三极管

C．PN结型光电二级管D．2CR11硅光电池

10．在光电倍增管变换电路中，要想获得理想的信噪比（压低噪声），较小的暗电流，适

应的灵敏度和较高的稳定度，可以适当地（）。

A．增加末三级并联电容的容量B．降压电源电压

C．减小末级倍增极与阳极间的电压D．增加阴极与第一倍增极间的电阻阻值

11．硅光电池在（）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围

较大。

A．开路B．自偏置C．零伏偏置D．反向偏置

二、问答题（40分，8分/题）

1．叙述金属、半金属、半导体以及绝缘体的能带结构的特点，并相应给出能带示意图

进行说明。

2．叙述光电池的工作原理以及开路电压、短路电流与光照度的关系。为什么光电池的

输出与所接的负载有关系？

3．简述4种常用光