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安世PSMN013-40VLD深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMN013-40VLD

DualN-channel40V,13OhlogiclevelMOSFETin

LFPAK56D(half-bridgeconfiguration)

14December2023Productdatasheet

1.Generaldescription

D1

Dual,logiclevelN-channelMOSFETinanLFPAK56Dpackage(hal-

bridgeconiguration),usingNextpowerS3technology.

Aninternalconnectionismadebetweenthesource(S1)ofthehigh-sideG1

FETtothedrain(D2)othelow-sideFET,makingthedeviceidealtouseS1,D2

asahalf-bridgeswitchinhigh-performancePWMandspaceconstrained

motordriveapplicationsG2

S2aaa-02808

2.Featuresandbenefits

•LFPAK56Dpackagewithhal-bridgeconigurationenables:

•ReducedPCBlayoutcomplexity

•Moduleshrinkagethroughreducedcomponentcount

•ImprovedsystemlevelRth(j-amb)duetooptimizedpackagedesign

•Lowerparasiticinductancetosupporthighereiciency

•FootprintcompatibilitywithLFPAK56DDualpackage

•NextpowerS3technology

•Lowpowerlosses,highpowerdensity

•Superioravalancheperformance

•Repetit

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