安世PSMN019-100YL深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMN019-100YL

N-channel100V,19mΩlogiclevelMOSFETinLFPAK56

4November2016Productdatasheet

1.Generaldescription

LogiclevelN-channelMOSFETinanLFPAK56(PowerSO8)packageusingTrenchMOS

technology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofpower

supplymotorcontrolequipment.

2.Featuresandbenefits

•AdvancedTrenchMOSprovideslowRDSonandlowgatecharge

•Logiclevelgateoperation

•Avalancherated,100%tested

•LFPAKprovidesmaximumpowerdensityinaPowerSO8package

3.Applications

•Synchronousrectificationinpowersupplyequipment

•ChargersadaptorswithVout10V

•FastchargeUSB-PDapplications

•Batterypoweredmotorcontrol

•LEDlightingTVbacklight

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltage25°C≤T≤175°C--100V

DSj

IDdraincurrentVGS=5V;Tmb=25°C;Fig.2--56A

PtottotalpowerdissipationTmb=25°C;Fig.1--167W

Staticcharacteristics

Rdrain-sourceon-stateV=5V;I=15A;T=25°

该用户很懒，什么也没介绍

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