无限微元法求霍尔槽初级电流分布.pdf

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July1999Vol19No4

12ElectroplatingPollutionControl

PrimaryCurrentDistributioninHullCell

UsingInfinitesimalElementMethod

(中南工业大学,长沙410083)

:使用无限微元法对霍尔槽阴极初级电流分布进行了理探讨,推导出霍尔槽阴极初级电流分布公式

为:D=I[A+Blg(Lsin+)]公式所得结果能正确解释电镀生产中的一些因素对镀层质量的影响,并对

非直流电镀具有一定的指导意义

Abstract:InfinitesimalelementmethoisusetotheoreticallystuycathoeprimarycurrentistributioninHull

Cell.Depenencebetweencathoeprimarycurrentensity(D)anistancefromcertainpointtocathoicclose

point(L)canbeeuceasD=I[A+Blg(Lsin+)].Resultscanproperlyexplaineffectofsomeparameters

onqualityofelectroeposition,ancangivesomeinstructiontoelectroepositbyinirectcurrent.

Keywords:HullCellInfinitesimalelementmethodPrimarycurrentdistribution

(

)

,;,

,22

,(:

DpH);,1

(),

kB(x,y,z),

C.ClereD.Lanolt

,A.C.West,J.Deconinckx,h(

,),BXOZ(1)

2.1.1

2.1.2

(

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