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安世PSMNR70-30YLH深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PSMNR70-30YLH

N-channel30V,0.82Ω,300AlogiclevelMOSFETin

LFPAK56usingNextPowerS3technology

12November2019Productdatasheet

1.Generaldescription

LogiclevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETinLFPAK56packageoptimied

forlowRDSon.LowIDSSleakageevenwhenhot,highefficiencyandhighcurrentratedto300A,

optimizedforDCloadswitchandhot-swapapplications.

2.Featuresandbenefits

•100%avalanchetestedatI(AS)=190A

•OptimizedforlowRDSon

•Lowleakage1µAat25°C

•LowspikingandringingforlowEMIdesigns

•Optimizedfor4.5Vgatedrive

•Copper-clipforlowparasiticinductanceandresistance

•HighreliabilityLFPAKpackage,qualifiedto175°C

•Wavesolderable;exposedleadsforoptimalsoldercoverageandvisualsolderinspection

3.Applications

•Hotswap

•e-fuse

•PowerOR-ing

•DCswitch/Loadswitch

•Batteryprotection

•BrushedandBLDC(brushless)motorcontrol

•SynchronousrectificationinAC-DCandDC-DCapplications

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltage25°C≤T≤17

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