智能计算 忆阻器基础特性测试方法及编制说明.pdf

ICS31.080.99

CCSL40

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

智能计算忆阻器基础特性测试方法

Intelligentcomputing—Testmethodforbasiccharacteristicsofmemristors

(点击此处添加与国际标准一致性程度的标识)

（征求意见稿）

20241110

（本草案完成时间：年月日）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX—XXXX

目次

前言II

1范围3

2规范性引用文件3

3术语和定义3

4待测器件5

5测试装置与环境5

5.1测试装置5

5.2测试环境8

61T1M单元基础特性测试8

6.1读操作8

6.2电形成10

6.3写操作10

71T1M阵列基础特性测试12

7.1并行读测试12

7.2并行写操作13

7.3并行计算14

8测试报告15

附录A（规范性）测试报告模板16

I

GB/TXXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起

草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国智能计算标准化工作组（SAC/SWG32）提出。

本文件由全国智能计算标准化工作组（SAC/SWG32）、全国半导体器件标准化技术委员会

（SAC/TC78）归口。

本文件起草单位：

本文件主要起草人：

II

GB/TXXXXX—XXXX

智能计算忆阻器基础特性测试方法

1范围

本文件规定了忆阻器的读、电形成、写、阵列并行计算等基础特性测试方法。

本文件适用于不同结构和材料的双极性单晶体管单忆阻器（1T1M）单元及其阵列的测试。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

忆阻器memristor

一种能够通过电阻值的变化记忆流经电荷量或磁通量的非线性两端电子元件。

电导conductance

G

忆阻器件的电导值，即读电流与读电压之间的比值。

读取read

获取忆阻器电导的操作。

读电压readvoltage

Vread

获取忆阻器电导的电压。