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《集成电路先进制造工艺工程师》高级培训课程试题

一、单选题（每题2分,共20分）

1、ALD期望的前驱体吸附过程为（）

A.不可逆的饱和吸附(正确答案)

B.可逆的饱和吸附

C．不可逆的不饱和吸附

D.不可逆饱和吸附没到饱和状态

2、原子层刻蚀（ALE）能实现高精度其最为重要的特征为()

A.高刻蚀速率

B.刻蚀过程具有自限制的特点(正确答案)

C.高选择比

D.各向同性

3、STEM-HAADF图像的信号来源于（）

A．高角度弹性散射的透过电子(正确答案)

B.小角度散射的透过电子

C.背散射电子

D.非弹性散射电子

4、2DNAND的基本存储器件单元是()

A.MOSFET

B.FG(正确答案)

C.CTM

D.IGBT

5、3DNAND的基本存储器件单元是()

A．MOSFET

B.FG

C.CTM(正确答案)

D.IGBT

6、NANDFlash以（）为单位进行擦除。

A.Block(正确答案)

B.Page

C.String

D.Word

7、NANDFlash以(为单位进行读取。)

A.Block

B.Page(正确答案)

C.String

D.Word

8、下面属于异质外延的是（）

A.Si上外延Si

B.Ge上外延Ge

C.Ge上外延GaAs(正确答案)

D.GaAs上外延GaAs

9、下面哪种前驱体的外延温度最低（）

A.SiH4(正确答案)

B.Si2H6

C.Si3H8

D.Si2H2CL2

10、外延工艺常用的硅源有()

A.HCL

B.Ge2H6

C.PH3

D.SiCL4(正确答案)

二、多选题（每题3分,共60分）

1、ALE刻蚀一般具有哪两个基本步骤()

A.表面吸附

B.表面修饰(正确答案)

C.表面扩散

D.表面修饰层去除(正确答案)

2、ALE的主要以下哪些优点()

A.刻蚀速率高

B.刻蚀精度高(正确答案)

C.刻蚀选择比高

D.刻蚀微负载效应低(正确答案)

3、下列哪些是各向同性的ALE技术（）

A.Cl修饰与Ar离去除修饰层的PEALE

B.热反应ALE刻蚀Al2O3(正确答案)

C.自限制氧化与湿法去除氧化层ALE(正确答案)

D.表面离子注入修饰与湿法去除修饰

4、先进制程中下列哪些工艺有ALE技术需求（）

A.多重图形化工艺(正确答案)

B.内侧墙工艺(正确答案)

C.假栅刻蚀工艺(正确答案)

D.自对准接触孔刻蚀工艺法去除修饰(正确答案)

E.垂直GAA沟道制备工艺(正确答案)

5、下列哪些方法属于破坏性失效分析方法()

A.SAT

B.OBIRCH

C.FIB(正确答案)

D.TEM(正确答案)

6、SEM图像的信号主要包括（）

A.二次电子(正确答案)

B.背散射电子(正确答案)

C.特征X射线

D.透射电子

7、影响SEM图像衬度的因素（）

A．表面形貌(正确答案)

B．原子序数(正确答案)

C．入射束能量(正确答案)

D．样品导电性(正确答案)

8、TEM图像的主要衬度包括(