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PH2925U
N-channelTrenchMOSultralowlevelFET
Rev.04—24February2009Productdatasheet
1.Productprofile
1.1Generaldescription
UltralowlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic
packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein
computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly.
1.2Featuresandbenefits
HigheroperatingpowerduetolowLowconductionlossesduetolow
thermalresistanceon-stateresistance
Interfacesdirectlywithlowvoltage
gatedrivers
1.3Applications
DC-to-DCconvertorsPortableequipment
NotebookcomputersSwitched-modepowersupplies
1.4Quickreferencedata
Table1.Quickreference
SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit
Vdrain-sourcevoltageT≥25°C;T≤150°C--25V
DSjj
IDdraincurrentTmb=25°C;VGS=4.5V;--100A
seeFigure1;seeFigure3
PtottotalpowerTmb=25°C;seeFigure2--
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