安世PH2925U深圳市恒锐丰科技有限公司.pdf

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PH2925U

N-channelTrenchMOSultralowlevelFET

Rev.04—24February2009Productdatasheet

1.Productprofile

1.1Generaldescription

UltralowlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic

packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein

computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly.

1.2Featuresandbenefits

HigheroperatingpowerduetolowLowconductionlossesduetolow

thermalresistanceon-stateresistance

Interfacesdirectlywithlowvoltage

gatedrivers

1.3Applications

DC-to-DCconvertorsPortableequipment

NotebookcomputersSwitched-modepowersupplies

1.4Quickreferencedata

Table1.Quickreference

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltageT≥25°C;T≤150°C--25V

DSjj

IDdraincurrentTmb=25°C;VGS=4.5V;--100A

seeFigure1;seeFigure3

PtottotalpowerTmb=25°C;seeFigure2--

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