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《晶体管放大电路》练习题及答案7.与储晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性

1.晶体管能够放大的外部条件是(C)能（A）

A.发射结正偏，集电结正偏A.高

B.发射结反偏，集电结反偏B.低

C.发射结正偏，集电结反偏C.一样

2.当晶体管工作于饱和状态时,其(A)8.温度升高，晶体管的电流放大系数（A）

A.发射结正偏，集电结正偏A.增大

B.发射结反偏，集电结反偏B.减小

C.发射结正偏，集电结反偏C.不变

3.对于硅晶体管来说其死区电压约为(B)9.温度升高，最体管的管压降|UBE|（B）

A.0.1VA.升高

B.0.5VB.降低

C.0.7VC.不变

4.储晶体管的导通压降|UBE|为(B)10.对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状

A.0.1V态时__C___极的电位最低。

B.0.3VA.发射极

C.0.5VB.基极

5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为C.集电极

0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的β为（C）11.温度升高，晶体管输入特性曲线（B）

A.40A右移

B.50B.左移

C.60C.不变

6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能（A）12.温度升高，最体管输出特性曲线（A）

A.越好A.上移

B.越差B.下移

C.一样C.不变

13.对于电压放大器来说，（B）电阻越小，电B.截止

路的带负载能力越强。C.饱和和截止

A.输入电阻19.在单级共射放大电路中，放大电路输出

B.输出电阻波形出现顶部被削平失真的主要原因是（B）。

C.电压放大倍数A.输入电阻太小

14.（单选题5.0分）B.静态工作点偏低

测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、C.静态工作点偏商

-8V、-2.2V，则该管为（B）20.引起放大电路静态工作不稳定的主要因

A.NPN型锗管素是（C）。

B.PNP型锗管A.晶体管的电流放大系数太大

C.PNP型硅管B.电源电压太高

15.测得晶体管三个电极对地的电压分别为C.晶体管参数随环境温度的变化而变化

2V、6V、-2.2V，则该管（C）21.在