数字集成电路设计复习课.pptVIP

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-电路、系统与设计;二极管的结构和手工分析模型;二极管的结电容、扩散电容;MOS器件

;MOSFET工作区域小结;长沟器件和短沟器件的差异;手工分析的标准模型;MOS管简单SPICE模型;;(1)MOS管栅电容〔栅沟道电容+栅覆盖电容〕;(2)MOS管扩散电容;寄生电阻;*;*;*;*;*;*;*;*;数字集成电路

-电路、系统与设计;CMOS反相器;反相器增益;影响传输特性的因素;直观综述：CMOS电路的特点;带负载的反相器;反相器链的应用;最优级比〔等效扇出〕与最优级数;CMOS的功耗来源;动态功耗;短路电流;泄漏电流;减小功耗的方法;工艺尺寸缩小模型;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*58227`0;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;数字集成电路

-电路、系统与设计;时序逻辑——有限状态机〔FSM〕;*;*;锁存器;时间定义;多路开关型锁存器的管级实现

ex1:CMOS传输门开关;ex2:NMOS传输管开关;写入Latch的方法;基于主从结构的边沿触发存放器;多路开关型主从存放器

以正沿触发存放器为例;减小时钟负载的静态主从存放器;*;防止时钟重叠;静态SR触发器

;有比CMOSSR触发器;第二节动态锁存器和存放器

锁存器;使动态锁存器成为伪静态;存放器;*;C2MOS存放器;*;真单相时钟控制〔TSPC〕存放器

TSPC锁存器;TSPC所包含的逻辑;简化的TSPC锁存器;*;TSPC存放器;*;脉冲存放器;;短脉冲存放器的建立时间;第三节流水线;锁存型流水线;

第4节非双稳时序电路

施密特触发器;反向施密特触发器;静止状态：XOR的两个输入相同，输出低电平

脉冲状态：XOR的两个输入暂时不同，延时结束后恢复相同;不稳电路——环形振荡器;电压控制振荡器〔VCO〕;差分延时元件和VCO拓扑结构;数字集成电路

-电路、系统与设计;设计综合概念;综合任务的分类;数字集成电路

-电路、系统与设计;时钟误差时钟误差的类型;1.时钟偏差;时钟偏差时序:正偏差;时钟偏差时序:负偏差;2.时钟抖动;时钟抖动时钟抖动:影响;4.时钟误差来源