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MOSFET特性参数E的解析
AS
一、E与E的定义
ASAR
E单脉冲雪崩击穿能量,E标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
ASAS
如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压,则器件不会发生雪崩击穿,因此也就不需要消散
雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值,其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。
E重复雪崩能量,标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。
AR
二、如何通过测试波形判断是否发生雪崩
上图(a)开关电源中的雪崩工作波形。在MOSFET截止时约有300V的冲击电压加在漏极和源极之
间,并出现振铃。
上图(b)对时间轴进行了放大,由图可以清楚的看出由于栅极电压下降,管子截止,I减小的同时
D
V升高并在295V处V电压波形出现平顶(钳位)。这种电压被钳位的现象即是雪崩状态,
DSDS
所以当功率MOSFET发生雪崩时,漏源极电压幅值会被钳位至有效击穿电压的水平。图1所示为开
关电源中典型的雪崩波形。源漏电压(CH3)被钳制在1kV,并能看到经整流的电流(CH4)。
图1器件击穿,800V额定值MOSFET
图2反激变换器中典型的雪崩情况
三、如何计算雪崩能量
四、在什么的应用条件下要考虑雪崩能量
对于那些在MOSFET的D和S极产生较大电压的尖峰应用,就要考虑器件的雪崩能量,电压的尖峰所
集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用,MOSFET关断时会产生较大的电压尖峰。通常
的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量。但是,一些电源在输出短路时,初级中会产生
较大的电流,加上初级电感,器件就会有雪崩损坏的可能,因此在这样的应用条件下,就要考虑器件的雪
崩能量。另外,由于一些电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流,因此也要
考虑器件的雪崩能量。
五、雪崩击穿(EAS/EAR)的保护
如上图所示,可在变压器(感性负载)两端并接RCD吸收回路,以降低反向尖峰电压,避免出现雪崩击穿现象;串
联栅极电阻,并设置为合适值,以抑制dv/dt,增加关断时间,从而抑制反向尖峰电压,但是这又会增加关断损耗,所以
栅极电阻要设置在一个合适值;也可在MOSFET的DS间并接RC吸收回路以吸收反向尖峰电压;大电流电路布线加粗、缩
短距离,降低寄生电感。
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