新洁能-市场前景及投资研究报告：领乘行业之风，多管齐下.pdfVIP

公

司

研

究[Table_Reportdate]

2024年12月20日

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新洁能（605111.SH）：振裘持领乘行业

公之风，多管齐下挈功率之火

司

深——公司深度报告

度[table_main]

投资要点：

电➢国内领先的功率半导体厂商，中低压MOSFET和高压IGBT产品齐头并进。公司共有四大

子产品平台，按照2024上半年营收占比大小依次为SGTMOS、TrenchMOS、IGBT和SJ

MOS。（1）MOSFET是全球功率半导体市场中占比最高的细分赛道，而中国拥有全球最大

的MOSFET市场，2024年占比42.61%，市场规模60.3亿美元，2026年有望达到69.5亿美

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数据日期2024/12/19元，其中在中低压应用场景中，沟槽型MOS为主流选择，中高端应用中SGTMOS更有优

收盘价37.37势。SJMOS主要适用于高压场景。尽管MOSFET市场主要由英飞凌、安森美等海外龙头

总股本(万股)41,533

主导，但近年来国内MOSFET厂商不断加速相关产品的，2024年沟槽型和超结型

流通A股/B股(万股)41,533/0

资产负债率(%)10.06%MOS的国产化率分别有望达到49.70%和34.60%。公司MOSFET产品涵盖主流工艺，电压

市净率(倍)3.94覆盖12~900V，料号齐全，2023年公司MOSFET营收占国内MOSFET市场规模的2.97%。

净资产收益率(加权)8.86（2）IGBT主要应用于高压低频场景，如光伏逆变器，IGBT在光伏逆变器中价值量占比15-

12个月内最高/最低价43.88/25.7020%。2024年全球IGBT市场规模为75亿美元，2026年有望达84亿美元，年增长率在5%左

右。IGBT单管与模块市场基本由英飞凌、富士电机等占据，但国内厂商已完成“0-1”的

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74%

技术突破，正处于的增长阶段，2023年自给率上升至32.9%。公司2024年上半年

58%

IGBT营收占比达16.2%，2023年公司IGBT营收占全球IGBT市场规模不足1%。覆盖电压

41%

25%高达1700V，公司在光储领域国内单管龙头地位稳固，并在逐步发力模块产品，积极推广

9%第七代IGBT产品，在8寸和12寸晶圆全部具备量产条件。（3）公司布局第三代半导体相关

-8%功率产品，目前SiCMOSFET系列产品部分已开发完成并进入小规模销售阶段，GaN

-24%HEMT已有部分型号通过可靠性考核，极大丰富了产品布局。

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