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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（10）申请公布号
CN102598244A
（43）申请公布日2012.07.18
（21）申请号CN201080048967.7
（22）申请日2010.11.03
（71）申请人国际商业机器公司
地址美国纽约阿芒克
（72）发明人Q·C·欧阳;R·H·德纳德;J-B·瑶
（74）专利代理机构北京市金杜律师事务所
代理人吴立明
（51）Int.CI
H01L21/762;
H01L21/84;
H01L27/12;
H01L21/336;
H01L29/786;
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
具有增强的迁移率沟道的混合双BOX背栅绝缘体上硅晶片
（57）摘要
一种用于集成电路器件的半导体晶片结
构，包括块状衬底；在该块状衬底上形成的下绝
缘层；在该下绝缘层上形成的导电背栅层；在该
背栅层上形成的上绝缘层；以及在该上绝缘层上
形成的混合绝缘体上半导体层，该混合绝缘体上
半导体层包括具有第一晶向的第一部分和具有第
二晶向的第二部分。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2012-07-18公开公开
2012-07-18公开公开
2012-09-19实质审查的生效实质审查的生效
2012-09-19实质审查的生效实质审查的生效
2014-11-05授权授权
2014-11-05授权授权
2017-11-28专利申请权、专利权的转移专利申请权、专利权的转移
2017-11-28专利申请权、专利权的转移专利申请权、专利权的转移
权利要求说明书
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说明书
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