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安世PHB_PHD_PHP21N06LT深圳市恒锐丰科技.pdf

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PhilipsSemiconductorsProductspecification

N-channelTrenchMOStransistorPHP21N06LT,PHB21N06LT

LogiclevelFETPHD21N06LT

FEATURESSYMBOLQUICKREFERENCEDATA

•’Trench’technologydVDSS=55V

•Lowon-stateresistance

•FastswitchingI=19A

D

•Logiclevelcompatible

gRDS(ON)≤75mΩ(VGS=5V)

RDS(ON)≤70mΩ(VGS=10V)

s

GENERALDESCRIPTION

N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.

Applications:-

•d.c.tod.c.converters

•switchedmodepowersupplies

ThePHP21N06LTissuppliedintheSOT78(TO220AB)conventionalleadedpackage.

ThePHB21N06LTissuppliedintheSOT404(D2PAK)surfacemountingpackage.

ThePHD21N06LTissuppliedintheSOT428(DPAK)surfacemountingpackage.

2

PINNINGSOT78(TO220AB)SOT404(DPAK)SOT428(DPAK)

PINDESCRIPTIONtabtab

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