安世PHB32N06LT深圳市恒锐丰科技.pdf

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PHB32N06LT

N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

Rev.02—30November2009Productdatasheet

1.Productprofile

1.1Generaldescription

LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic

packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein

computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly.

1.2Featuresandbenefits

Suitableforlogiclevelgatedrive

sources

1.3Applications

GeneralpurposeswitchingSwitched-modepowersupplies

1.4Quickreferencedata

Table1.Quickreference

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltageT≥25°C;T≤175°C--60V

DSjj

IDdraincurrentTmb=25°C;VGS=5V;--34A

seeFigure1and3

PtottotalpowerTmb=25°C;--97W

dissipationseeFigure2

Dynamiccharacteristics

QGDgate-drainchargeVGS=5V;ID=20A;-8.5-nC

V=44V;T

该用户很懒，什么也没介绍

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