安世GANB4R8-040CBA深圳市恒锐丰科技.pdf

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GANB4R8-040CBA

40V,4.8Ohbi-directionalGalliuNitride(GaN)FETina

2.1x2.1WaferLevelChip-ScalePackage(WLCSP)

7August2024Productdatasheet

1.Generaldescription

TheGANB4R8-040CBAisa40V,4.8mΩbi-directionalGalliumNitrideGaN)HighElectron-

Mobility-TransistorHEMT)inaWaferLevelChip-ScaleWLCSP)package.Itisanormally-offe-

modedeviceofferingsuperiorperformance.

2.Featuresandbenefits

•Enhancementmode-normally-offpowerswitch

•Bi-directionaldevice

•Ultrahighswitchingspeedcapability

•Ultra-lowon-stateresistance

•RoHS,Pb-free,REACH-compliant

•Highefficiencyandhighpowerdensity

•WaferLevelChip-ScalePackageWLCSP)2.1mmx2.1mm

3.Applications

•High-sideloadswitch

•OVPprotectioninsmartphoneUSBport

•Powerswitchcircuits

•Stand-bypowersystem

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-drainvoltage-40°C≤T≤125°C[1]--40V

DDj

IDdraincurrentVGD=5V;Tmb=25°C[2][3]--20A

Ptot

该用户很懒，什么也没介绍

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