安世PHB27NQ10T深圳市恒锐丰科技.pdf

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PHB27NQ10T

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

Rev.02—17December2010Productdatasheet

1.Productprofile

1.1Generaldescription

StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic

packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein

computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly.

1.2Featuresandbenefits

HigheroperatingpowerduetolowSuitableforhighfrequency

thermalresistanceapplicationsduetofastswitching

characteristics

Lowconductionlossesduetolow

on-stateresistance

1.3Applications

DC-to-DCconvertersSwitched-modepowersupplies

1.4Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourceT≥25°C;T≤175°C--100V

DSjj

voltage

IDdraincurrentTmb=25°C;VGS=10V--28A

PtottotalpowerTmb=25°C--107W

该用户很懒，什么也没介绍

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