基于细观理论模型的烧结银传热性能预测及其应用研究.docx

摘要

随着功率器件集成化程度的提高，对芯片材料的性能有了更高要求，而传统的硅(Silicon,Si)基半导体也已经达到了材料物理特性的理论极限。被誉为第三代宽禁带半导体的碳化硅(SiliconCarbide,SiC)，与Si相比具有更加优越的电学性能与热学性能，因此SiC功率模块在高温高频领域有着极为广泛的应用。烧结银焊料由于具有较高的热导率和熔点，契合了SiC功率器件中对焊料层的要求，一直被人们青睐于作为SiC芯片与基板之间的粘结材料。烧结银焊料是由纳米银颗粒与有机溶剂混合而成，在烧结完成后具有多孔微观结构，这使得烧结银焊层的力学性能和热学性能与微观结构密切相关。