安世PHB47NQ10T深圳市恒锐丰科技.pdf

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PHB47NQ10T

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

Rev.02—25February2010Productdatasheet

1.Productprofile

1.1Generaldescription

StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic

packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein

computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly.

1.2Featuresandbenefits

LowconductionlossesduetolowSuitableforhighfrequency

on-stateresistanceapplicationsduetofastswitching

characteristics

1.3Applications

DC-to-DCconvertorsSwitched-modepowersupplies

1.4Quickreferencedata

Table1.Quickreference

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltageT≥25°C;T≤175°C--100V

DSjj

IDdraincurrentTmb=25°C;VGS=10V;--47A

seeFigure1and2

PtottotalpowerTmb=25°C;seeFigure3--166W

dissipation

Dynamiccharacter

该用户很懒，什么也没介绍

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