模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析.pdfVIP

海纳百川，有容乃大；壁立千仞，无欲则刚。——林则徐

1半导体二极管

自我检测题

一.选择和填空

1.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。若掺

入五价杂质，其多数载流子是电子。

2.在本征半导体中，空穴浓度_C_电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度_B_电子

浓度；在P型半导体中，空穴浓度_A_电子浓度。

（A.大于，B.小于，C.等于）

3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C_,而少数载流子的浓度与_A_关系十分

密切。

（A.温度，B.掺杂工艺，C.杂质浓度）

4.当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E;当PN结外加反向电压时，扩

散电流_B_漂移电流，耗尽层D。

（A.大于，B.小于，C.等于，D.变宽，E.变窄，F不变）

5.二极管实际就是一个PN结，PN结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于导通状

态；反向偏置时，处于截止状态。

6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B_，反向电流一般_C_;普通小功率锗二

极管的正向导通压降约为A，反向电流一般D。

（A.0.1〜0.3V，B.0.6〜0.8V，C.小于1口A，D.大于1口A）

7•已知某二极管在温度为25C时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为T1

时的伏安特性如图中虚线所示。在25C时，该二极管的死区电压为0.5伏，反向击穿电

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-6T

压为160伏，反向电流为10安培。温度i小于25C。（大于、小于、等于）

图选择题7

v

8•PN结的特性方程是il（eVT1）。普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳

s

压管工作在特性曲线的反向击穿区。

二.判断题（正确的在括号画V,错误的画X）

1•N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。（）

X

2.在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（）

V

3.P型半导体带正电，N型半导体带负电。