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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN103268906A
(43)申请公布日2013.08.28
(21)申请号CN201310194072.X
(22)申请日2013.05.22
(71)申请人中国科学技术大学
地址230026安徽省合肥市包河区金寨路96号
(72)发明人王德亮杨瑞龙王德钊
(74)专利代理机构北京维澳专利代理有限公司
代理人王立民
(51)Int.CI
H01L31/18
H01L31/0296
H01L31/073
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
硫化镉薄膜及具有硫化镉薄膜的太
阳能电池的制备方法
(57)摘要
本发明提供了一种硫化镉薄膜的制
备方法，包括步骤：提供硫化镉薄膜；在
硫化镉薄膜上形成氯化镉薄膜；以及在氯
化镉气氛中进行热处理。通过以上制备方
法，有效地减小了硫化镉薄膜的氧化，得
到的硫化镉薄膜在衬底上横向结晶，且晶
粒紧密排列。在应用于碲化镉太阳能电池
中时，使得薄膜保持较高的禁带宽度，减
少了电池短路的可能性，并进一步提高了
电池的短路电流，载流子的收集效率和电
池P-N结的品质，从而提升了太阳能电池
的转换效率。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
未缴年费专利权终止IPC(主分
类):H01L31/18专利
2023-06-02号:ZL201310194072X申请专利权的终止
日权公告
日
权利要求说明书
1.一种硫化镉薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供硫化镉薄膜；
在硫化镉薄膜上制备氯化镉薄膜；以及
在氯化镉气氛中进行热处理；
去除残留的氯化镉薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用提拉法或物理
气相沉积的方法在硫化镉薄膜上形成氯化镉薄膜。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在氯化镉气氛中进
行热处理的步骤具体为：通入氯化镉气体，以在氯化镉气氛中进行热处理。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在氯化镉气氛中进
行热处理的步骤具体为：加热氯化镉生成氯化镉气氛并在其中进行热处理。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在硫化镉薄膜上形
成氯化镉薄膜，以及在氯化镉气氛中进行热处理的步骤具体为：
在硫化镉薄膜上通过物理蒸发法进行氯化镉蒸镀，形成氯化镉薄膜；
原位蒸发氯化镉并进行热处理。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述氯
化镉薄膜的厚度范围为10-200nm。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度
范围为350-450℃，所述热处理的时间范围为30秒-60分钟，所述热处理
的载气为惰性气体和氧气的混合气体，气压范围为2-101kPa，氧气
分压小于50%。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度
范围为390-430℃，所述热处理的时间范围为10-30分钟，所述热处理的
载气为惰性气体和氧气的混合气体，气压范围为2-50kPa，氧气分压
小于50%。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用去离子水进行
冲洗，以将硫化镉薄膜上残留的氯化镉薄膜去
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